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公司應邀參加第三屆熱管理材料與技術(shù)高峰論壇

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發(fā)布時間：

2022-08-01

論壇概況：第三屆熱管理材料與科技高峰論壇，于2022年7月29日在東莞喜來登大酒店順利召開。論壇旨在搭建和提供熱管理材料行業(yè)“產(chǎn)學研用”的溝通交流平臺，對接融合產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)創(chuàng)新性的技術(shù)與需求。論壇報告涉及熱管理材料領域的科學、技術(shù)和工程等多方面問題，今年論壇特別關注了金屬基復合材料在熱管理領域的發(fā)展情況。

論壇會場

中科院寧波材料所林正得研究員開幕致辭

精彩報告

鄧中山，公司CTO

演講題目：面向5G領域的液態(tài)金屬前沿技術(shù)研究與應用

液態(tài)金屬是一大類物理化學行為十分獨特的前沿新材料，室溫或工作溫度下呈液態(tài)，具有導電性強、熱導率高、液態(tài)溫區(qū)寬等典型特性，正在為多個領域的應用提供重要解決方案。本報告主要介紹團隊近年來面向5G領域應用的液態(tài)金屬前沿技術(shù)研究及產(chǎn)業(yè)化工作，包括液態(tài)金屬流體冷卻技術(shù)、導熱技術(shù)以及相變熱控技術(shù)的提出、發(fā)展與應用，液態(tài)金屬可重構(gòu)天線及射頻開關技術(shù)，液態(tài)金屬印刷電子技術(shù)等。

黃竹鄰，中興通訊終端硬件系統(tǒng)設計總工

演講題目：5G終端熱設計對熱材料的探索

本演講從熱設計的基礎理論談起，介紹了5G終端熱設計的幾個研究方向，并以實例的方式闡述目前5G終端熱設計的挑戰(zhàn)，希望和大家一起商討5G終端熱設計的優(yōu)秀解決方案。

郭懷新，中國電子科技集團公司第五十五研究所高級工程師

演講題目：GaN功率器件片內(nèi)熱管理應用分析

氮化鎵電子器件，尤其是HEMT器件，近幾年在大功率、高集成度應用方面都取得了巨大進步。然而，高功率密度的發(fā)展受限于其自生熱和近結(jié)區(qū)散熱能力引起器件結(jié)溫升高問題，嚴重導致器件性能下降，使GaN器件的高功率性能優(yōu)勢遠未發(fā)揮。因此，器件芯片級熱管理已成為大功率器件研發(fā)和應用領域的一個重要研究方向。為此，本報告對近年來國內(nèi)外正在開展GaN功率器件熱管技術(shù)進行分析，結(jié)合本團隊的研究進展，系統(tǒng)評估GaN器件片內(nèi)熱管理應用面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

辛國慶，華中科技大學教授

演講題目：功率電子器件封裝關鍵材料

基于SiC/GaN寬禁帶半導體材料的電力電子器件正在崛起，與硅基功率器件相比，這類電力電子器件具有耐高溫、耐高壓、可高頻工作，集成度更高等特點。現(xiàn)有的基于硅基半導體的傳統(tǒng)模塊封裝材料與技術(shù)已經(jīng)無法滿足SiC/GaN功率器件，在模塊耐溫性、可靠性、封裝寄生參數(shù)、散熱等方面都面臨著挑戰(zhàn)，因此亟需發(fā)展適用于SiC/GaN器件的先進封裝材料與技術(shù)。本次報告主要介紹功率電子器件的關鍵封裝材料，包括耐高溫灌封層，高導熱性勻熱基板及熱界面材料等。

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共有28名熱管理材料領域?qū)＜壹捌髽I(yè)研發(fā)帶頭人為此次論壇帶來“材料與技術(shù)、設計與方案”相關精彩報告。

活動交流

本次論壇由DT新材料傾力打造，得到了南方科技大學李保文院士、西北工業(yè)大學顧軍渭教授和中科院寧波材料所林正得研究員的悉心指導；也得到了廣東墨?？萍加邢薰?、西北工業(yè)大學化學與化工學院、深圳先進電子材料國際創(chuàng)新研究院、寶安區(qū)5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)與應用創(chuàng)新聯(lián)盟和粵港澳大灣區(qū)先進電子材料技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟的大力協(xié)助及贊助單位和合作媒體對本次論壇的鼎力支持，前來參加的企事業(yè)單位、高校、科研院所更是高達200余家。